ROF Balanced Photodetector ຄວາມອ່ອນໄຫວສູງ Photodetector silicon Photodetector ທີ່ມີການຂະຫຍາຍ
ຄຸນນະສົມບັດ
⚫ ຊ່ວງແສງ: 320-1000, 850-1650nm
⚫ 3dB ແບນວິດ 200MHz
⚫ ສຽງຕ່ຳ
⚫ ກໍາໄລສູງ
⚫ ການສະຫນອງພະລັງງານ DC 15V
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
⚫ການກວດຫາ Heterodyne
⚫ການວັດແທກຄວາມລ່າຊ້າທາງສາຍຕາ
⚫ລະບົບການຮັບຮູ້ເສັ້ນໄຍແສງ
⚫ (OCT)
ພາລາມິເຕີ
ຕົວກໍານົດການປະສິດທິພາບ
| ພິມພາລາມິເຕີ | ROF-BPR-200M-A | ROF-BPR-200M-B |
| ລະດັບການຕອບສະຫນອງຂອງສະເປກ | 850-1650nm | 320-1000nm |
| ປະເພດວັດສະດຸ | InGaAs | Si |
| ການປ້ອນຂໍ້ມູນແສງສະຫວ່າງ | ||
| ການຕອບສະໜອງ | 0.9A/W@1550nm | 0.5A/W@700nm |
| ແບນວິດ 3dB | DC-200MHz | DC-200MHz |
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ | 1.5ns | 1.5ns |
| CMRR | >20dB | >20dB |
| ໄດ້ຮັບຜົນຜະລິດ @RF | 1.1×104V/W | 0.6×104V/W |
| ພະລັງງານທຽບເທົ່າສິ່ງລົບກວນ | 7pw/√Hz | 14pw/√Hz |
| ພະລັງງານແສງອີ່ມຕົວ @RF ອອກ | -5dBm | -2dBm |
| ການສະຫນອງພະລັງງານ | DC ± 12V | |
| ຂາເຂົ້າ | FC | |
| ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ອອກ | SMA | |
| ຜົນຜະລິດ impedance | 50 | |
| ວິທີການ coupling ຜົນຜະລິດ | AC | |
| ພະລັງງານ optical input ສູງສຸດ | 10mW | |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ | 0-40℃ | |
| ອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ | -40 ~ 85 ℃ | |
| ຂະໜາດ | 78 x 68 x 45 ມມ | |
| ຕົວແບບ | ຊ່ວງຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ | ແບນວິດ 3dB | ຄວາມອ່ອນໄຫວ dBm | ໄດ້ຮັບ V/W | CMRR dB | ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ອອກ |
| BPR-40G-A | 1480-1620nm | 37GHz | -10 | 1200 | ＞25 | K |
| BPD-10G-A | 1064-1650nm | 15K-10GHz | -15 | 40 | ||
| BPR-1.6GA | 850-1700nm | 0.3-1.6GHz | -27 | 14 ພັນ | SMA(f) | |
| BPR-350M-A | 850-1700nm | 350MHz | -27 | 30 ພັນ | ||
| BPR-350M-B | 320-1100nm | -30 | 15 ພັນ | |||
| BPR-200M-A | 850-1700nm | 200MHz | -33 | |||
| BPR-200M-B | 320-1100nm | -30 | ||||
| BPR-80M-A | 850-1700nm | 80MHz | -38 | |||
| BPR-80M-B | 320-1100nm | -35 |
ໂຄ້ງ
ລັກສະນະເສັ້ນໂຄ້ງ
ແຜນວາດວົງຈອນພາຍໃນ
ຂະໜາດ (ມມ)
ຂໍ້ມູນ
ຂໍ້ມູນການສັ່ງຊື້
| ROF | BPR | XXX | X | XX |
| ປະເພດໂມດູນການກວດຈັບ: BPR—Balanced Photoreveiver | ແບນວິດປະຕິບັດງານ: 200M---200MHz | ໄລຍະການຕອບສະໜອງຂອງຄື້ນ A--- 850~1650nm | ວິທີການເຊື່ອມ: FC |
* ກະລຸນາຕິດຕໍ່ຜູ້ຂາຍຂອງພວກເຮົາຖ້າທ່ານມີຄວາມຕ້ອງການພິເສດ
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
Rofea Optoelectronics ວາງສະແດງຜະລິດຕະພັນ electro-optic ຫຼາກຫຼາຍຊະນິດລວມທັງໂມດູເລເຕີ, ເຄື່ອງກວດຈັບພາບ, ແຫຼ່ງເລເຊີ, ເລເຊີ dfb, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍແສງ, EDFAs, ເລເຊີ SLD, ໂມດູນ QPSK, ເລເຊີທີ່ມີຈັງຫວະ, ເຄື່ອງກວດຈັບພາບ, ເຄື່ອງກວດຈັບພາບທີ່ສົມດູນ, ເລເຊີ semiconductor, ໄດເວີເລເຊີ, ຄູ່ໄຟເບີ. ເລເຊີ pulsed, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ, ເຄື່ອງວັດແທກພະລັງງານແສງ, ເລເຊີບໍລະອົດແບນ, ເລເຊີທີ່ສາມາດປັບໄດ້, ຄວາມລ່າຊ້າຂອງ optical, ໂມດູເລເຕີ electro-optic, ເຄື່ອງກວດຈັບພາບ, ໄດໂອດເລເຊີ, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍໄຟເບີ, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສາຍໄຟເບີ erbium-doped, ແລະເລເຊີແຫຼ່ງທີ່ມາ.
ພວກເຮົາຍັງສະໜອງຕົວປັບຕົວແບບກຳນົດເອງ, ລວມທັງຕົວຄວບຄຸມໄລຍະອາເຣ 1 * 4, ໂມດູລເຕີອັດສະລິຍະການສູນພັນທີ່ມີ Vpi ຕ່ຳສຸດ ແລະ ສູງທີ່ສຸດ, ເຊິ່ງຖືກອອກແບບມາເປັນພິເສດສຳລັບມະຫາວິທະຍາໄລ ແລະ ສະຖາບັນຄົ້ນຄວ້າ.
ຜະລິດຕະພັນເຫຼົ່ານີ້ມີແບນວິດ electro-optic ສູງເຖິງ 40 GHz, ລະດັບຄວາມຍາວຂອງຄື້ນຈາກ 780 nm ຫາ 2000 nm, ການສູນເສຍການແຊກຕ່ໍາ, Vp ຕ່ໍາ, ແລະ PER ສູງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມກັບຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງການເຊື່ອມຕໍ່ RF ແບບອະນາລັອກແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການສື່ສານຄວາມໄວສູງ.
Rofea Optoelectronics ສະຫນອງສາຍຜະລິດຕະພັນຂອງໂມດູນ Electro-optic ການຄ້າ, ຕົວຄວບຄຸມໄລຍະ, ຕົວຄວບຄຸມຄວາມເຂັ້ມ, ເຄື່ອງກວດຈັບພາບ, ແຫຼ່ງແສງເລເຊີ, ເລເຊີ DFB, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍແສງ, EDFA, ເລເຊີ SLD, ໂມດູນ QPSK, ເລເຊີ Pulse, ເຄື່ອງກວດຈັບແສງ, ເຄື່ອງກວດຈັບພາບທີ່ສົມດຸນ, ໄດເວີເລເຊີ , ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງໃຍແກ້ວນໍາແສງ, ເຄື່ອງວັດແທກພະລັງງານ Optical, ເລເຊີ Broadband, laser Tunable, ເຄື່ອງກວດຈັບແສງ, ໄດເວີເລເຊີ diode, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍໄຟເບີ.ພວກເຮົາຍັງສະຫນອງຕົວປັບຕົວພິເສດຫຼາຍຢ່າງສໍາລັບການປັບແຕ່ງ, ເຊັ່ນ 1*4 ໄລຍະອາເລໂມດູນ, Vpi ຕ່ໍາສຸດ, ແລະຕົວຄວບຄຸມອັດຕາສ່ວນການສູນພັນສູງສຸດ, ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນມະຫາວິທະຍາໄລແລະສະຖາບັນ.
ຫວັງວ່າຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາຈະເປັນປະໂຫຍດສໍາລັບທ່ານແລະການຄົ້ນຄວ້າຂອງທ່ານ.
