ທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມແຫຼ່ງ laser: edge emission semiconductor laser
1. ບົດແນະນຳ
ເລເຊີ semiconductorchips ແບ່ງອອກເປັນ edge emitting laser chips (EEL) ແລະ vertical cavity surface emitting laser chips (VCSEL) ອີງຕາມຂະບວນການຜະລິດທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ resonators, ແລະຄວາມແຕກຕ່າງຂອງໂຄງສ້າງສະເພາະຂອງເຂົາເຈົ້າແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບທີ 1. ເມື່ອປຽບທຽບກັບດ້ານຕັ້ງຢູ່ຕາມໂກນ emitting laser, ຂອບ. emitting semiconductor laser ການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຊີແມ່ນແກ່ຫຼາຍ, ມີລະດັບຄວາມກວ້າງຂອງ wavelength, ສູງelectro-opticalປະສິດທິພາບການປ່ຽນໃຈເຫລື້ອມໃສ, ພະລັງງານຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບອື່ນໆ, ຫຼາຍທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການປະມວນຜົນ laser, ການສື່ສານ optical ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.ໃນປັດຈຸບັນ, lasers semiconductor edge-emitting ແມ່ນສ່ວນຫນຶ່ງທີ່ສໍາຄັນຂອງອຸດສາຫະກໍາ optoelectronics, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງເຂົາເຈົ້າໄດ້ກວມເອົາອຸດສາຫະກໍາ, ໂທລະຄົມ, ວິທະຍາສາດ, ຜູ້ບໍລິໂພກ, ການທະຫານແລະການບິນອະວະກາດ.ດ້ວຍການພັດທະນາແລະຄວາມຄືບຫນ້າຂອງເທກໂນໂລຍີ, ພະລັງງານ, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະປະສິດທິພາບການປ່ຽນພະລັງງານຂອງ lasers semiconductor edge-emitting ໄດ້ຖືກປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ແລະຄວາມສົດໃສດ້ານຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງພວກເຂົາແມ່ນກວ້າງຂວາງຫຼາຍ.
ຕໍ່ໄປ, ຂ້າພະເຈົ້າຈະນໍາພາທ່ານໃຫ້ຮູ້ຈັກເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບສະເໜ່ທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງຂ້າງ emittingເລເຊີ semiconductor.
ຮູບທີ 1 (ຊ້າຍ) ດ້ານຂ້າງ emitting laser semiconductor ແລະ (ຂວາ) ດ້ານແນວຕັ້ງຢູ່ຕາມໂກນ emitting ແຜນວາດໂຄງສ້າງ laser
2. ຫຼັກການເຮັດວຽກຂອງ edge emission semiconductorເລເຊີ
ໂຄງສ້າງຂອງ laser semiconductor edge-emitting ສາມາດແບ່ງອອກເປັນສາມພາກສ່ວນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: semiconductor active region, pump source ແລະ optical resonator.ແຕກຕ່າງຈາກ resonators ຂອງເລເຊີ emitting ພື້ນຜິວຢູ່ຕາມໂກນແນວຕັ້ງ (ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍກະຈົກ Bragg ເທິງແລະລຸ່ມ), resonators ໃນ edge-emitting semiconductor laser ອຸປະກອນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍຮູບເງົາ optical ທັງສອງດ້ານ.ໂຄງປະກອບການອຸປະກອນ EEL ປົກກະຕິແລະໂຄງສ້າງ resonator ແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບທີ 2. photon ໃນອຸປະກອນ laser semiconductor edge-emission ແມ່ນຂະຫຍາຍໂດຍການຄັດເລືອກຮູບແບບໃນ resonator, ແລະ laser ໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນທິດທາງຂະຫນານກັບພື້ນຜິວ substrate ໄດ້.Edge-emitting semiconductor laser ອຸປະກອນມີລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງ wavelengths ປະຕິບັດງານແລະເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ປະຕິບັດຫຼາຍ, ສະນັ້ນພວກເຂົາເຈົ້າກາຍເປັນຫນຶ່ງໃນແຫຼ່ງ laser ທີ່ເຫມາະສົມ.
ດັດຊະນີການປະເມີນຜົນການປະຕິບັດຂອງ lasers semiconductor edge-emitting ຍັງສອດຄ່ອງກັບ lasers semiconductor ອື່ນໆ, ລວມທັງ: (1) laser lasing wavelength;(2) Threshold ໃນປັດຈຸບັນ Ith, ນັ້ນແມ່ນ, ໃນປັດຈຸບັນທີ່ diode laser ເລີ່ມຕົ້ນທີ່ຈະສ້າງ laser oscillation;(3) Iop ເຮັດວຽກໃນປະຈຸບັນ, ນັ້ນແມ່ນ, ປະຈຸບັນການຂັບລົດໃນເວລາທີ່ diode laser ບັນລຸພະລັງງານຜົນຜະລິດໄດ້ຈັດອັນດັບ, ພາລາມິເຕີນີ້ຖືກນໍາໃຊ້ກັບການອອກແບບແລະ modulation ຂອງວົງຈອນຂັບ laser;(4) ປະສິດທິພາບຄວາມຊັນ;(5) Vertical divergence Angle θ⊥;(6) Horizontal divergence Angle θ∥;(7) ຕິດຕາມກວດກາ Im ໃນປະຈຸບັນ, ນັ້ນແມ່ນ, ຂະຫນາດໃນປະຈຸບັນຂອງຊິບເລເຊີ semiconductor ທີ່ກໍາລັງຜົນຜະລິດຈັດອັນດັບ.
3. ຄວາມຄືບໜ້າການຄົ້ນຄວ້າຂອງ GaAs ແລະ GaN based edge emitting lasers semiconductor
ເລເຊີ semiconductor ໂດຍອີງໃສ່ວັດສະດຸ semiconductor GaAs ແມ່ນຫນຶ່ງໃນເຕັກໂນໂລຢີເລເຊີ semiconductor ແກ່ທີ່ສຸດ.ໃນປັດຈຸບັນ, lasers semiconductor edge-emitting GAAS ທີ່ອີງໃສ່ infrared band (760-1060 nm) ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຄ້າ.ໃນຖານະເປັນວັດສະດຸ semiconductor ລຸ້ນທີສາມຫຼັງຈາກ Si ແລະ GaAs, GaN ມີຄວາມເປັນຫ່ວງຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຄົ້ນຄວ້າວິທະຍາສາດແລະອຸດສາຫະກໍາເນື່ອງຈາກວ່າຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະເຄມີທີ່ດີເລີດຂອງມັນ.ດ້ວຍການພັດທະນາອຸປະກອນ optoelectronic ທີ່ອີງໃສ່ GAN ແລະຄວາມພະຍາຍາມຂອງນັກຄົ້ນຄວ້າ, diodes ປ່ອຍແສງທີ່ອີງໃສ່ GAN ແລະ lasers edge-emitting ໄດ້ຮັບການອຸດສາຫະກໍາ.
ເວລາປະກາດ: 16-01-2024